专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]亚微米各向异性钐铁氮及其杂化粘结磁体的制备方法-CN201510349079.3有效
  • 程本培;陈海英;王心安 - 宁夏君磁新材料科技有限公司
  • 2015-06-23 - 2021-04-13 - B22F9/04
  • 本发明公开了亚微米各向异性钐铁氮及其杂化粘结磁体的制备方法。采用速凝薄片技术制备钐铁合金,使其在氮气或者氮气与氢气的混合气体中进行气‑固相反应,形成钐铁氮合金,接着进行气流磨和/或球磨,得到粒径在0.01~3μm的各向异性钐铁氮单晶颗粒。进一步的,将钐铁氮单晶颗粒作为第一组分与永磁铁氧体、快淬各向同性钕铁硼、各向异性钕铁硼、钐钴和/或钕铁氮组成的第二种组分混合成杂化,在添加加工助剂,通过压延、模压、挤出或注射方法制备出杂化粘结磁体本发明制备的钐铁氮的磁能积、剩磁及内禀矫顽力高,成本低,粒径小,相应杂化粘结磁体的发挥不同组分的优点,成形度和机械强度高,且温度性能好。
  • 微米各向异性钐铁氮磁粉及其粘结磁体制备方法
  • [发明专利]一种TGGG光晶体的生长方法-CN202310748773.7在审
  • 罗毅;龚瑞;刘照俊;王玉 - 安徽科瑞思创晶体材料有限责任公司
  • 2023-06-25 - 2023-09-19 - C30B15/00
  • 本发明公开了一种TGGG光晶体的生长方法,包括以下步骤:称取Gd2O3、Tb47和Ga2O3原料,加热烧结得到多晶料,对加热烧结得到多晶料进行球磨处理,得到多晶料混料,将多晶料混料置于离心机内,然后对多晶料混料进行筛选,将离心筛选之后的多晶料置于坩埚内,再将盛有多晶料的坩埚放入晶体生长炉内,使得坩埚内的多晶料熔化,将熔化之后的多晶料置于晶体生长炉之内进行引晶,得到单晶材料,对生长完成的单晶材料进行降温处理,得到TGGG光晶体,有效的保证了TGGG光晶体生长的稳定性,有效的提升了成品率和合格率。
  • 一种tggg晶体生长方法
  • [实用新型]一种碳化硅单晶生长装置-CN202120838313.X有效
  • 付芬;张洁;邓树军;汪良 - 福建北电新材料科技有限公司
  • 2021-04-22 - 2021-11-02 - C30B23/00
  • 本实用新型公开了一种碳化硅单晶生长装置,涉及碳化硅制备技术领域;该碳化硅单晶生长装置包括坩埚和底座,坩埚的下方设置有磁性结构,坩埚内用于放置碳化硅料,以在加热过程中生成碳化硅单晶;底座与坩埚相对设置,底座上设有控机构,控机构用于与磁性结构配合作用,以使坩埚相对底座悬浮且转动。该碳化硅单晶生长装置能够使得坩埚整体在制备过程中相对底座悬浮且旋转,从而使得坩埚不易发生偏斜,进而使得坩埚里的热场对称且均匀,达到均匀长晶热场的目的,继而能保证碳化硅单晶的结晶质量,并使得产出的晶体无偏斜
  • 一种碳化硅生长装置

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